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開(kāi)關(guān)電源不同應(yīng)用的發(fā)展要求

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:682次  |  2019年12月27日  

隨著智能手機(jī)的普及,4G網(wǎng)絡(luò)以及云計(jì)算等的不斷擴(kuò)大,基站、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)市場(chǎng)也隨之?dāng)U大。在電子產(chǎn)品輕薄短小的需求驅(qū)動(dòng)下,開(kāi)關(guān)電源以小型、輕量和高效率等眾多優(yōu)點(diǎn),迅速取代線性電源,并普及于各種電子產(chǎn)品領(lǐng)域。有鑒于此,為滿足不斷攀升的市場(chǎng)需求,東芝加大開(kāi)關(guān)電源研發(fā)力度,并提供滿足不同應(yīng)用的新產(chǎn)品。


經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展,中國(guó)的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)業(yè)業(yè)已形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈。面對(duì)眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,東芝電子(中國(guó))有限公司技術(shù)統(tǒng)括部總監(jiān)多田升先生指出,東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管(HV-MOS)和低壓MOS(LV-MOS)產(chǎn)品線,能滿足從消費(fèi)類電子到工業(yè)相關(guān)設(shè)備的不同需求。


東芝注重開(kāi)發(fā)AC-DC用HV-MOS和DC-DC用LV-MOS產(chǎn)品。隨著今后功率器件需求的不斷擴(kuò)大,東芝面向通信、數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品也將持續(xù)開(kāi)發(fā)出來(lái)。針對(duì)HV-MOS(SuperJunctionMOS)方面,東芝將對(duì)DTMOSIV進(jìn)行產(chǎn)品化,并對(duì)以更低損耗且高耐壓(900V)為目標(biāo)的HV-DTMOS進(jìn)行開(kāi)發(fā)。LV-MOS方面,東芝開(kāi)發(fā)UMOSVIII,不斷充實(shí)產(chǎn)品線,甚至擴(kuò)充到工業(yè)方面對(duì)耐壓有需求的250V產(chǎn)品。


事實(shí)上,開(kāi)關(guān)電源用器件的高效率化,有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和節(jié)能。為滿足以上需求,多田升先生透露,東芝將開(kāi)發(fā)低損耗器件和符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性產(chǎn)品。


為更好地實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化,東芝正在對(duì)IPD(IntelligentPowerDevice)的DIP封裝產(chǎn)品化,甚至還在開(kāi)發(fā)更小型的HSOP。與此同時(shí),東芝正在著手開(kāi)發(fā)分立器件的雙面放熱型新型封裝,以實(shí)現(xiàn)小型且高放熱。為實(shí)現(xiàn)低損耗,東芝還開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻技術(shù)。


在節(jié)能環(huán)保的發(fā)展趨勢(shì)下,可再生能源等新能源領(lǐng)域要求具備高效輸電技術(shù)。面對(duì)能源消耗的問(wèn)題,在功率器件方面,東芝開(kāi)發(fā)出有助于提升HVDC(高壓直流輸電)技術(shù)及各種電源效率的產(chǎn)品,擁有30V到4500V的豐富產(chǎn)品線。


談到功率器件新工藝新突破時(shí),多田升先生強(qiáng)調(diào),相較于其他公司的多外延(MultitypeEpitaxial)構(gòu)造,東芝實(shí)現(xiàn)了采用自行研發(fā)的單外延(SingleEpitaxial)構(gòu)造。通過(guò)該技術(shù),使得半導(dǎo)體器件在高溫工作時(shí)也能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻的降低。除此之外,LV-MOS通過(guò)新的溝槽構(gòu)造,能改善低導(dǎo)通電阻以及開(kāi)關(guān)性能的權(quán)衡,在確保開(kāi)關(guān)速度的同時(shí),實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。最后,多田升先生特別指出,除了積極研發(fā)新工藝之外,在新材料升級(jí)方面,東芝已經(jīng)著手進(jìn)行SiC、GaN等新材料器件的開(kāi)發(fā)。截至目前為止,SiC二極管已經(jīng)上市,GaN的開(kāi)發(fā)也在不斷進(jìn)行中。


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