恩智浦半導(dǎo)體（NXpSemiconductorsN.V.）推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波（CW），比目前市場(chǎng)上同類產(chǎn)品高出百分之五十。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS，突破了半導(dǎo)體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。

這款晶體管簡(jiǎn)單易用，極大方便了微波發(fā)生器設(shè)計(jì)人員。與真空管時(shí)代的技術(shù)（如磁控管）相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行精確的功率控制，并可實(shí)現(xiàn)頻移，有助于精確地使用射頻能量。而且，MRF13750H的性能隨時(shí)間推移下降很小，能夠運(yùn)行數(shù)十年，降低了總擁有成本。MRF13750H的工作電壓為50V，比磁控管更安全。另外，固態(tài)功率放大器尺寸小，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)冗余和靈活性。

恩智浦市場(chǎng)射頻功率工業(yè)技術(shù)高級(jí)總監(jiān)兼總經(jīng)理pierrepiel表示：長(zhǎng)期以來，半導(dǎo)體器件的可靠性和優(yōu)異的控制特性早已得到認(rèn)同，但是工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員難以組合多個(gè)晶體管來匹配磁控管的功率水平。現(xiàn)在憑借MRF13750H的優(yōu)異性能，工業(yè)加熱工程師能在非常高功率的系統(tǒng)中使用這種晶體管。

射頻能量聯(lián)盟執(zhí)行董事KlausWerner表示：鑒于固態(tài)射頻能量作為高效可控的熱源和功率源具有諸多優(yōu)勢(shì)，射頻能量聯(lián)盟（RFEA）認(rèn)為該技術(shù)有著不可估量的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，不僅能夠改善現(xiàn)有的射頻能量應(yīng)用，而且有助于開發(fā)新的能量應(yīng)用。新產(chǎn)品MRF13750H的強(qiáng)大性能無疑將加速行業(yè)向固態(tài)射頻技術(shù)的轉(zhuǎn)型。

這款新晶體管專為工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）應(yīng)用而設(shè)計(jì)，范圍從700MHz至1300MHz，特別適合工業(yè)加熱/干燥、固化和材料焊接及顆粒加速器應(yīng)用。MRF13750H在915MHz時(shí)可提供750WCW，效率為67％，封裝為33.8英寸（7.69.7厘米）小封裝。

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