隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器歷來通過分立元件實施-分立驅(qū)動IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓撲結(jié)構(gòu)。最主要的是半橋和全橋。

許多云基礎設施的應用采用半橋和全橋拓撲結(jié)構(gòu)，如無線基站（遠程無線電單元）、電源模塊和任何板載隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器。其他應用包括工業(yè)領域，如電機驅(qū)動器、風扇和暖通空調(diào)（HVAC）。這些應用的設計工程師力求降低整體方案的大小或增加輸出功率。

安森美半導體的FDMF8811是業(yè)界首款100V橋式功率級模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓撲。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。

與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的pCB面積。這令制造商設計更緊湊、高能效的產(chǎn)品。物料單（BOM）器件的數(shù)量也顯著減少，實現(xiàn)供應鏈和裝配的高效。

如果pCB面積不是問題，那FDMF8811可有助于在現(xiàn)有的pCB面積內(nèi)提高設計的輸出功率。例如，這可通過從現(xiàn)有的、本來低功率拓撲結(jié)構(gòu)，如有源鉗位正激、反激式或推拉式，轉(zhuǎn)為采用FDMF8811的半橋或全橋拓撲來實現(xiàn)。另一個例子是現(xiàn)有的采用分立MOSFET的半橋方案可以轉(zhuǎn)換為在相同的占板面積內(nèi)的一個全橋拓撲。這種轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)的輸出功率加倍。

過針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標準

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

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FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120V驅(qū)動器IC和一個自舉二極管到6.0mmx7.5mm的pQFN封裝。

通過集成所有的關鍵動力傳動元件，安森美半導體已經(jīng)能優(yōu)化該模塊的驅(qū)動器和MOSFET的動態(tài)性能、系統(tǒng)寄生電感和功率MOSFET的導通電阻RDS（ON），從而保持盡可能最高的能效。該集成顯著降低了供電回路的寄生效應。這大大降低電壓應力和電磁干擾（EMI），提高系統(tǒng)的可靠性。

采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器被充分優(yōu)化，以在最佳能效水平達到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，實在沒有理由再使用分立器件！

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