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新發現:石墨烯能將電轉化為光

鉅大LARGE  |  點擊量:2143次  |  2018年06月13日  

石墨烯是由碳原子構成的只有一層原子厚度的二維晶體,是一種超薄的超級納米材料,同時具有很高的強度,良好的電性能和光學性能,被譽為21世紀的“新材料之王”。因此,其發明者安德烈-蓋姆和康斯坦丁-諾沃肖洛夫兩人共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。由于石墨烯的特殊性能,其在新能源電池,顯示屏,傳感器,半導體等領域的應用研究都取得了很大的進展。而在激光領域,也能見到石墨烯的身影,相關的研究正在如火如荼的進行。

石墨烯薄膜可增加高功率激光組件熱傳導

隨著設備和組件變得越來越小,在未來超高效電子系統的開發中,電子和光電子的散熱是一個嚴重問題?,F在,瑞典查爾姆斯理工大學的研究人員開發出一種通過功能化石墨烯納米薄片高效冷卻電子器件的技術,或可為解決這一問題鋪平道路。相關研究成果發表在最新一期的《自然·通訊》雜志上。

在實驗中,科學家研究了被固定在石墨烯納米微片層界面和邊界上形成共價鍵的大量分子,他們還通過使用光熱反射測量技術,演示功能化改進的熱耦合現象,以證明界面熱阻。結果發現,采用基于不同功能化氨基和基于疊氮硅烷分子優化膜的熱傳導,熱轉換率可比未經處理的系統提高76%以上,這主要是通過引入功能化分子而使接觸的電阻急劇減少所致。

分子動力學模擬和計算顯示,經過官能化的層,束縛了低頻聲子在橫截面的散射,但反過來通過恢復長彎曲聲子壽命,從而增強了結合薄膜的豎截面熱傳導。結果表明,這種電子設備提供了潛在的熱管理解決方案。

該大學從事電子產品生產研究的約翰·劉教授指出:"采用基于石墨烯納米薄片的膜,可使電子和其他電力設備實現高效熱傳輸,這或許是一個有效的解決方法,相關研究成果正越來越接近中試生產階段。未來可將這種石墨烯薄膜集成到微電子設備和系統中,用于冷卻高效發光二極管、激光和射頻組件,這將為研制更快更小、高效節能的高功率電子產品鋪平道路。"

【新發現】石墨烯能將電轉化為光

美國麻省理工學院(MIT)研究人員和其他國際機構已經發現了一種類似飛機超過音速時產生音爆的過程:也就是說,電荷流過石墨烯,在某種情況下,能超過減慢了的光速,能形成一種光“爆”---一種強烈的聚焦光束。

這種全新的將電能轉化為可見光輻射方式是高度可控的,并且快速有效。研究人員表示,這種方式可能會帶來各種新的應用。研究成果發表在國際知名學術期刊《NatureCommunications》上。

這項新的研究來自于一個有趣的觀察現象。研究人員發現,當光照射到石墨烯片上時,其速度能得到極大的降低。而這種戲劇性的減緩,帶來了一個有趣的巧合。由于路經相同的材料,減速了的光子(光粒子)經過石墨烯片的速度非常接近電子的速度。

研究人員表示:“石墨烯能通過我們稱之為表面等離子體的方式捕獲光。等離子體是一種代表了表面電子振蕩的虛擬粒子。這些穿過石墨烯的等離子體的速度比在自由空間光的速度慢幾百倍。”

這種效果與石墨烯另一個特點相吻合:電子以非常高的速度通過石墨烯,高達每秒一百萬米或者光在真空中速度的三百分之一。這就意味著,這兩種速度足夠接近,如果能將材料進行調諧以便獲得匹配速度,那么兩種粒子間將發生顯著的相互作用。

這種組合特性---減慢了的光速以及允許電子快速通過也是石墨烯不同尋常的性質之一。這種特性也為石墨烯產生相反的效果提供了可能性:形成光而不是捕獲光。

研究人員表示,這種理論工作表明能通過這種方法形成一種新的產生光的方式。

具體來講,由于電子速度在石墨烯中能接近光速,從而打破“光屏障”,因此這種轉換是可行的。

到目前為止,工作還處于理論階段。研究人員的下一步將是構建系統的實際工作版本以便對該概念進行驗證。

利用石墨烯制備太赫茲“二極管”取得突破

天津大學精密儀器與光電子工程學院、太赫茲研究中心張偉力教授團隊在石墨烯太赫茲波調制的研究中取得了突破性進展,該項研究成果發表在國際著名學術刊物NatureCommunications[6,7082(2015)]上。這篇題為"Activegraphene-siliconhybriddiodeforterahertzwaves"的論文報道了利用光電并行機制對石墨烯-硅的復合結構進行主動調制的原創性工作。

作為典型的二維材料,石墨烯具有單層原子結構,優異的光學、電學和機械性能,展現出了許多誘人、新穎的物理特性。由于具有外部可調控的導電率及可調諧的禁帶寬度,石墨烯在太赫茲領域具有許多潛在的應用。其中,利用石墨烯對太赫茲波進行主動調控是目前的研究熱點之一。但是,目前國際上通常采用單一式光激發或電調制等手段對太赫茲波實現調控,其調制深度受到明顯的限制。

張偉力團隊在前期研究基礎上,提出了基于石墨烯和半導體的太赫茲波調控的新方法,即采用石墨烯-硅的復合結構,在低功率連續激光的激勵下,利用極低的電壓(0.1-4伏)即可實現對太赫茲信號的大幅度調制,其調制深度高達83%,帶寬覆蓋了0.4-2THz范圍。在此基礎上研制的太赫茲集成化器件,實現了對太赫茲波的正向偏壓導通、負向偏壓截止的光學“二極管”效應。該研究成果為太赫茲二維材料和器件的發展奠定了重要基礎,在寬帶太赫茲波調制器、太赫茲波整流、太赫茲波通信等領域有十分重要的應用前景。

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