鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量：1392次 | 2020年04月09日
從內(nèi)部構(gòu)造分析單、多晶電池性能差異
一、晶硅太陽(yáng)能電池的分類
晶硅太陽(yáng)能電池從結(jié)構(gòu)來(lái)分，分為P型和N型（詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)參考：P型和N型電池結(jié)構(gòu)的詳細(xì)介紹）。目前主流的電池多為P型，其電池片結(jié)構(gòu)如圖1所示：一般以P型Si作為基底，表面擴(kuò)散磷形成PN結(jié)，外面再鍍一層減反射膜。PN結(jié)是太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，PN結(jié)品質(zhì)的好壞直接決定電池光電轉(zhuǎn)換能力的高低。
圖1：P型晶硅電池結(jié)構(gòu)示意圖
晶硅太陽(yáng)能電池從制造工藝來(lái)分，又分為單晶硅電池和多晶硅電池。
單晶硅片來(lái)自于單晶硅硅棒切割，硅棒采取類似藍(lán)寶石等單晶材料的生長(zhǎng)方式。因此，其原子排列短程有序、長(zhǎng)程也有序，得到的半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷相對(duì)較少，但相應(yīng)的成本也更高。
多晶硅片來(lái)自于多晶硅鑄錠切割，硅錠的工藝路線類似鋼鐵材料。因此，其原子排列僅短程有序，存在晶界。
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圖3：多晶材料晶界示意圖
