鉅大LARGE | 點擊量:898次 | 2020年06月04日
耗盡型工藝實現鋰離子電池充電保護芯片的設計
引言
便攜式電子產品正向輕量化、超小型化發展,為此鋰離子電池得到廣泛應用,比較常見的正極材料為鈷酸鋰和錳酸鋰的鋰離子電池,還有磷酸鐵鋰離子電池和磷酸鐵錳電池等。鋰離子電池以能量高、壽命長、無記憶性、無污染等特點排在電池行業的最前列。但是鋰離子電池和其他很多類型的電池相同極易出現過充電、過放電等現象,這些情況對鋰離子電池更容易造成損害,從而縮短它的使用壽命。所以要求鋰離子電池充電應具有一級保護功能。
目前國內還沒有這種電池保護的核心技術,本文設計了一種鋰離子電池充電保護電路,此保護電路的電壓、電流源基于耗盡型工藝設計,便于實現低功耗。另外此保護電路的供電電壓來源于電池電壓,所以要求此保護芯片在電池電壓變化范圍(1~8V)內正常工作。本文設計的保護電路以低功耗、高精度、高能量密度、高內阻、高安全性等特性脫穎而出,因此這種鋰離子電池保護電路的應用得到了普及。
1系統結構的設計
此芯片是單節電池的保護電路并且過電壓、過電流的檢測延遲時間是可改變的,其系統設計框圖如圖1所示,芯片設計VDD、VSS、Dp、CO、DO、VM6個引腳。通常情況下,即電池沒發生過充電、過放電事件時,CO、DO都為高電平,Dp端子懸空,圖1中右半部分的6個MOSFET是耐高壓管。
工作原理是通過監視連接在VDD和VSS之間的電池電壓及VM和VSS之間的電壓差控制充電器的充電和放電。
1.1通常狀態的設計
如圖1所示,通常狀態下,即電池電壓在過放電檢測電壓(VDL)以上且在過充電檢測電壓(VCU)以下,VM端子的電壓在充電器檢測電壓(VCHA)以上且在過電流1檢測電壓以下的情況下,設計振蕩器模塊不工作,充電控制用MOSFET和放電控制用MOSFET的兩方均打開。這時可以進行自由的充電和放電。
1.2過電壓檢測的設計
當電池出現過充電時,過充比較器跳變,過充電檢測電壓VCU從H變成L,經過過充電檢測延遲時間后,禁止電池充電。同時,電路的輸出TCU為H,經過一個反饋電路使過充電比較器的輸入電壓升高,所以電池電壓必須下降更多才能使比較器輸出變為H.這就實現了過充電滯后電壓的設計過程。
當電池過放電時,過放電檢測電壓VDL從H變為L,經過時間TDL后,禁止電池放電。此時,通過0V充電禁止模塊使VM升高,從而五個比較器的使能端SD跳變為無效狀態,此時電路中的五個比較器都不工作,而且振蕩器也不工作,電路進入休眠狀態。當VM降低使SD再次發生改變時,電路解除休眠狀態。休眠狀態的電流不能超過100nA.
1.3過電流檢測的設計
當VM端子電壓大于過電流1檢測電壓,并且這個狀態在過電流1檢測延遲時間以上時,關閉放電用的FET從而停止放電。
當VM端子電壓大于過電流2檢測電壓,并且這個狀態在過電流2檢測延遲時間以上時,關閉放電用的FET從而停止放電。
通過不同環形振蕩器的振蕩頻率,調整過電流的檢測延遲時間的長短,可及時停止放電。