讓石墨烯(graphene)成為半導體硅材料的接班人，已經成為美國、日本、歐洲甚至是中國等地政府大力支持的優(yōu)先研究項目；但因為石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性，美國麻省理工學院(MIT)與哈佛大學(HarvardUniversity)的研究人員認為大家可能都搞錯了方向，應該是找尋性能媲美石墨烯、但具備能隙的化合物材料。

研究人員指出，有一類以NiHITP(nickelhexa-imino-triphenylene)為代表的材料，就擁有上述特性。MIT化學教授MirceaDinca表示：“就像石墨可剝離為石墨烯(也不過就是片狀的石墨)，我們所開發(fā)的材料也能剝離成片狀；相較于石墨烯層，我們的材料層是能透過受控制的化學改質(chemicalmodification)來調節(jié)，因此能有系統(tǒng)地改變其電子特性?！?br/>
該種新開發(fā)材料的正式名稱是“Ni3(HITP)2”，因為它鍵合了鎳(Ni)的3個原子以及2個HITP有機分子；不過NiHITP只是一個具備天然能隙之材料類別中的第一種，能針對特定應用在原子等級調節(jié)其電子功能。

全錯：純石墨烯不適合當硅材料接班人？！

類石墨烯材料的分子架構會自然形成六角形晶格，而每個六角形的開口都能完全對齊

Dinca指出：“我們還沒量測出這種材料的能隙，但確定它大于0；石墨烯的能隙是0，并不適合做為半導體。我們現(xiàn)在正試圖將該種材料制作成大尺寸的片狀，首先要量測它的能隙并能更清楚描述其電子特性，其次則是用該種材料來制作組件；而這也是我們所面臨的挑戰(zhàn)。