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業界最高密度、無需電池的非易失性RAM系統

鉅大LARGE  |  點擊量:578次  |  2021年12月08日  

賽普拉斯半導體公司的子公司AGIGA技術公司近日宣布推出擁有市場上最高密度、最快速度的非易失性RAM系統。AGIGARAM非易失性系統(NVS)的最新CApRI系列可供應介于256megabytes(2048megabits)和2gigabytes(16gigabits)之間的存儲密度。這一便于使用的交鑰匙系列產品使用DDR2SDRAM接口供應最高達800MHz的等同于DRAM的峰值傳輸速率。CApRI系列能夠使很多有價值的系統功能成為可能,例如零待機功耗、抗斷電、快速開機/恢復、寫緩沖/粘貼、數據記錄、服務/維護處理、日志、統一存儲器架構,以及UpS替代/冗余。該產品可在保存重要任務數據的同時供應上述所有功能。


諸如存儲、網絡、通信、工業計算和控制、醫療設備、游戲系統、ATM和pOS終端、打印機、掃描儀、復印機、汽車和系統等應用而言,AGIGARAM都是理想的選擇。


AGIGA技術公司的CEORonSartore說:“CApRI系列把AGIGARAM獨特的高速、高密度非易失性RAM技術帶進了網絡、存儲、工業和嵌入式市場的高端應用。我們靈活的CApRI產品具有多種尺寸和主接口,擁有快速入市能力和高性能。”


截止到目前,高速非易失性存儲器的選擇很有限,特別是對RAM的性能有所要求時。因為采用了賽普拉斯的nvSRAM,AGIGARAM系統將非易失性解決方法升級擴展到更大的密度。僅次于此的高密度方法是電池供電的存儲器,它也具有高速度,但有很多問題,例如有害材料的問題、新增設計復雜性、充電時間長、有限的操作次數,以及總體擁有成本較高。


由于創新性地采用了無需電池的子系統,以及采用高速同步DRAM、NAND閃存、智能電源管理和一個特有的系統控制器,AGIGARAM系統解決了這些問題。掉電時,它利用存儲在供電子系統中的能量自動將數據存儲到NAND閃存中。供電恢復后,數據傳輸回SDRAM。這一功能可用于應對由于掉電而出現的數據丟失、快速啟動恢復、寫緩沖和粘貼、數據記錄和日志,以及服務和維護處理。

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符合Exic IIB T4 Gc防爆標準

充電溫度:0~45℃
-放電溫度:-40~+55℃
-40℃最大放電倍率:1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

CApRI產品功能


目標市場為高端存儲、工業、網絡和通信應用:


*256-MB,512-MB,1-GB和2-GB密度*64/72-bitDDR2SDRAM接口,可實現533MHz,667MHz和800MHz的高速率*6,400MB/sec峰值傳輸*I2C命令/控制總線*尺寸:244-pinmini-RDIMM,240-pinRDIMM以及用戶含義尺寸*0-60°C工作溫度,可供應額外工作溫度范圍*5年和10年工作壽命選擇*集成無電池電源包裝


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