2018年全國新能源汽車市場依然快速增長，全年中國新能源汽車產量122萬輛，同比增長50%。其中新能源乘用車產量100.74萬輛，同比增長高達83%。新能源汽車產業的快速發展直接帶動了IGBT產業的發展。

IGBT模塊作為新能源汽車電機電控系統和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源整車成本的8-10%，占到充電樁成本的20%。新能源汽車及充電樁市場已進入爆發期，IGBT作為其核心器件也將迎來黃金發展期。高工產研電動車研究所數據（GGII）顯示，2018年我國新能源汽車IGBT市場規模達到145.68億元，同比增長21.05%，GGII預計到2020年，我國新能源汽車和充電樁市場將帶動近兩百億IGBT模塊的需求。

2011-2018年中國IGBT市場需求規模（億元，%）

資料來源：高工產研電動車研究所（GGII）

IGBT是功率半導體器件第三次技術革命的代表型產品，具有驅動容易、控制簡單、開關頻率高、導通電壓低、通態電流大、損耗小等優點，可以說是新能源汽車的核心技術之一，IGBT的好壞直接影響新能源汽車功率的釋放速度。新能源汽車IGBT的作用是交流電和直流電的轉換，同時還承擔電壓的高低轉換的功能。當外界充交流電時，需要通過IGBT轉換成直流電然后充給電池，同時要把220V電壓轉換成適當的電壓以后才能給電池組充電；電池放電時，通過IGBT把直流電轉變成交流電機使用的交流電，同時起到變頻和變壓的作用。

歐美和日本企業憑借著產品質量好、技術領先，在IGBT市場中占據絕對優勢地位，也是我國新能源汽車IGBT產品需求的主要供應商。目前，我國市場需求的新能源汽車IGBT電子產品90%左右進口來自于歐美。新能源汽車IGBT不僅對產品性能要求高，同時對可靠性的要求更為嚴苛，期望壽命一般為二十年以上，功率循環上萬次甚至百萬次以上，而且需要在不同的環境和氣候下工作。目前在新能源汽車IGBT行業內國產芯片技術水平與國外差距較大，競爭力較弱，仍處于初始發展階段。

從產業鏈來看，IGBT是一個高精尖技術的行業，產業鏈核心包括芯片設計、晶圓制造、封裝、測試、光刻機制造等。其中晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，建造一個生產300毫米直徑硅錠的制造廠大約需要35億美元，對于資本和技術的要求非常高。光刻機是芯片制造的核心設備之一，用于生產芯片的光刻機是中國在半導體設備制造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

雖然經過過去幾年的發展，國內已形成了從IDM模式和代工模式的IGBT完整產業鏈，國內也出現一批像中車時代電氣、比亞迪微電子、華微電子等代表性企業，但國內IGBT市場仍被海外企業把控。尤其是在目前國內企業華為正受美國的制裁大背景下，在關鍵領域核心環節形成對海外產品的替代已經成為共識。5月22日，財政部網站發文表示，為支持集成電路設計和軟件產業發展，財政部發布集成電路設計和軟件產業企業所得稅政策的公告，在2018年12月31日前自獲利年度起計算優惠期，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。作為新能源汽車的核心零部件，IGBT的國產化已刻不容緩。